Mit einer neuen Fertigungslinie stärkt Infineon den Halbleiterstandort Villach nachhaltig. Produziert werden Galliumnitrid-Leistungshalbleiter auf Wafern mit 300 Millimetern Durchmesser. Die geplante Großserienproduktion besitzt nach Angaben des Unternehmens weltweite Pionierrolle. Bis zum Jahr 2034 fließen rund 1,1 Milliarden Euro. Investiert wird vor allem in bereits bestehende Reinräume am Standort. Der Beginn der Serienfertigung ist für Ende 2027 vorgesehen. Die verfügbare Menge wird an den tatsächlichen Bedarf angepasst.
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Villach erhält Produktionsbasis für GaN-Chips der nächsten Generation
Infineon nutzt in Villach 300-Millimeter-Wafer als Grundlage einer neuen GaN-Fertigung. Das Waferformat ist auf industrielle Stückzahlen und skalierbare Herstellungsprozesse ausgerichtet. Galliumnitrid-Leistungshalbleiter können damit unter Bedingungen einer Hochvolumenproduktion entstehen. Die größere Fläche pro Wafer unterstützt eine verbesserte Nutzung vorhandener Prozesskapazitäten. Gleichzeitig entsteht eine Basis für nachfolgende technologische Entwicklungen im Leistungsbereich. Villach erweitert damit seine Fähigkeiten von der Prozessentwicklung bis zur Fertigung. Der Standort stärkt seine weltweite Stellung innerhalb der Leistungshalbleiterindustrie.
Vorhandene Reinraumflächen beschleunigen Infineons Ausbau der Fertigungskapazitäten in Villach
Die Erweiterung nutzt vorhandene Reinraumtechnik statt neu errichteter Produktionsgebäude. In Villach werden bestehende Bereiche für zusätzliche Prozessschritte umgerüstet gezielt. Dieser Weg spart Flächenerschließung und reduziert Anforderungen an Bauleistungen spürbar. Gleichzeitig bleiben etablierte Versorgungswege und Betriebsstrukturen weiterhin verfügbar am Standort. Die Modernisierung unterstützt einen ressourcenschonenden und kosteneffizienten Produktionsausbau für Infineon. Kapazität entsteht nicht auf einmal sondern in nachfrageorientierten Schritten fortlaufend. So kann Infineon auf Marktveränderungen ohne große Vorleistungen flexibel reagieren.
KI-Rechenzentren profitieren von effizienteren Stromversorgungslösungen mit Galliumnitrid erheblich künftig
GaN-Bauelemente ermöglichen Stromversorgungslösungen, weil sie elektrische Energie bei hohen Schaltfrequenzen mit geringeren Verlusten wandeln. Diese Eigenschaften unterstützen die Entwicklung kompakter Systeme mit hoher Leistungsdichte und reduziertem Kühlbedarf. Besonders KI-Rechenzentren benötigen solche Komponenten, um ihren wachsenden Strombedarf effizienter zu decken. Zusätzlich profitieren Energie-Infrastruktur, Elektrofahrzeuge, Robotik und Konsumentenelektronik. Die geplante Fertigung adressiert daher Märkte, in denen leistungsfähige, sparsame und zuverlässig skalierbare Halbleiter für anspruchsvolle Anwendungen künftig besonders häufig benötigt werden.
Ende 2027 beginnt Villachs GaN-Produktion mit nachfrageorientierter Skalierung schrittweise
Die Herstellung von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern soll bei Infineon in Villach Ende 2027 anlaufen. Das Investitionsprogramm umfasst bis 2034 rund 1,1 Milliarden Euro. Die vorgesehene Kapazität wird nicht vollständig auf einmal aktiviert, sondern in Abhängigkeit von den Bestellungen und Marktprognosen erweitert. Dadurch kann der Hersteller seine Produktionsplanung laufend überprüfen und anpassen. Die Fertigung soll somit sowohl wachsende Nachfrage bedienen als auch überhöhte Kapazitätsreserven während schwächerer Marktphasen vermeiden.
EU-Unterstützung ermöglicht neue Hochvolumenproduktion moderner Leistungshalbleiter in Europa künftig
Die Förderzusage über 319 Millionen Euro verankert das Villacher Projekt im Europäischen Chips Act. Ihr Zweck besteht darin, industrielle Fertigungskapazitäten für fortschrittliche Leistungshalbleiter auf europäischem Boden auszubauen. Die Mittel erleichtern den Hochlauf einer Produktion, die auf hohe Mengen und eine zuverlässige Versorgung ausgelegt ist. Dadurch erhält Europa zusätzliche Möglichkeiten, kritische elektronische Komponenten regional bereitzustellen. Die Maßnahme fördert technisches Wissen, stärkt die Widerstandsfähigkeit von Lieferketten und unterstützt europäische Industrieunternehmen bei Zukunftsanwendungen.
Die geplante GaN-Fertigung in Villach basiert auf modernisierten Reinräumen vollständig. Sie nutzt vorhandene Versorgungssysteme und reduziert dadurch den Ausbauaufwand deutlich. 300-Millimeter-Wafer schaffen die Grundlage für hohe Produktivität und Skalierbarkeit langfristig. Das Projekt soll die Verfügbarkeit effizienter Leistungshalbleiter in Europa verbessern. Diese Komponenten sind für moderne Energieversorgung und Digitalisierung besonders relevant. Die Förderung erleichtert Investitionen in strategisch wichtige Produktionskapazitäten innerhalb Europas. Gleichzeitig werden externe Abhängigkeiten bei kritischen Chiplieferungen langfristig kleiner ausfallen.
